[发明专利]薄膜半导体器件及其制造该器件的方法

摘要

本发明公开了一种半导体器件，其具有一个N沟道MOS晶体管和P沟道MOS晶体管，所述N沟道与P沟道MOS晶体管的每个由多晶硅层、栅绝缘膜、和包括了位于玻璃基片上的栅多晶硅的栅极构成。所述半导体器件的制造方法包括步骤：与注入杂质同时或在不同的另一步骤中，向所述栅多晶硅注入杂质，在形成MOS晶体管的源极/漏极时，或形成LDD(轻度掺杂漏极)时，在N沟道MOS晶体管中形成一个N型的栅多晶硅，在P沟道MOS晶体管中形成一个P型的栅多晶硅，而且，将所述多晶硅层的厚度设为小于形成沟道反转时出现的耗尽层的宽度。这样，降低了MOS晶体管的阈值电压的波动，从而实现了低电压驱动。

主权项

1.一种薄膜半导体器件，其包括：一个N沟道MOS晶体管和一个P沟道MOS晶体管，每个晶体管具有在一个绝缘基片上形成的作为有源层的多晶硅层，其中第一栅极通过位于所述N沟道MOS晶体管的所述多晶硅层上的第一栅绝缘膜形成，所述第一栅极包括了一个N型的多晶硅；其中第二栅极通过位于所述P沟道MOS晶体管的所述多晶硅层上的第二栅绝缘膜形成，所述第二栅极包括了一个P型的多晶硅；其中这样形成所述有源层，以至其厚度小于形成沟道反转时的耗尽层的宽度。