[发明专利]半导体存储器件

摘要

提供一种具有用于提供电能的驱动器晶体管的半导体存储器件，其可以在非激活过程中减少泄漏电流，并且在激活过程中保证用于读出放大器的足够供电能力。栅极宽度被与位线方向相垂直地提供在每两个位线对间距处，并且电源电压VDD和参考电压VSS被馈送到PMOS晶体管SP0、SP0_至SP3、SP3_以及NMOS晶体管SN0、SN0_至SN3、SN3_。在驱动器专用MOS晶体管P1、P2和NMOS晶体管N1、N2中，以两个位线对间距为最大值而调节栅极宽度，并且使用调节区ΔL来调节栅极长度，从而可以获得对于保证足够的电流提供能力和减小拖尾电流这种互为相反的特性获得在适当调节状态下的驱动器专用MOS晶体管P1、P2、N1和N2。

主权项

1.一种半导体存储器件，其中包括：至少一个读出放大器，其被根据位线的布线间距而置于至少一个读出放大器布局区域中；以及至少一个驱动器专用MOS晶体管，用于把电能供到读出放大器，该驱动器专用MOS晶体管被置于读出放大器布局区域中，使其栅极宽度垂直于位线的布线方向，其中该读出放大器的电源端和驱动器专用MOS晶体管的漏极端通过一个低电阻布线层相互连接。