[发明专利]处理溶液施用方法有效
| 申请号： | 03120119.9 | 申请日： | 2003-03-07 |
| 公开（公告）号： | CN1467793A | 公开（公告）日： | 2004-01-14 |
| 发明（设计）人： | 茂森和士;真田雅和 | 申请（专利权）人： | 大日本屏影象制造株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;G03F7/16;B05C5/00;B05C11/02;B05D1/02;B05D3/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 崔幼平;郑建晖 |
| 地址： | 日本京都*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 执行基片旋转步骤以便使基片以100rpm至500rpm的第一旋转速度在平行于其主平面的平面中旋转。然后，执行第一施用步骤以便通过在从喷嘴输送处理溶液的同时使喷嘴从与旋转中的基片的一个边缘相对的位置移至与基片的旋转中心相对的位置而向基片表面供应处理溶液。接着，执行第二施用步骤以便通过在从喷嘴输送处理溶液的同时使喷嘴停止于与旋转中的基片的旋转中心相对的位置上而向基片表面供应处理溶液。最后，执行薄膜厚度调整步骤以便停止从喷嘴输送处理溶液，并使基片以比第一旋转速度更快的第二旋转速度在平行于其主平面的平面中旋转。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 溶液 施用 方法 | ||
【主权项】：
1.一种处理溶液施用方法，包括：基片旋转步骤，用于使基片以100rpm至500rpm的第一旋转速度在平行于其主平面的平面中旋转；第一施用步骤，用于通过在从喷嘴输送处理溶液的同时使所述喷嘴从与旋转中的基片的一边缘相对的位置移向与基片的旋转中心相对的位置而向基片表面供应处理溶液；第二施用步骤，用于通过在从所述喷嘴输送处理溶液的同时使所述喷嘴停止于与旋转中的基片的旋转中心相对的位置上而向基片表面供应处理溶液；以及薄膜厚度调整步骤，用于停止从所述喷嘴输送处理溶液，并使基片以比所述第一旋转速度更快的第二旋转速度在平行于其主平面的平面中旋转。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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