[发明专利]光半导体器件有效
| 申请号： | 03120129.6 | 申请日： | 2003-03-07 |
| 公开（公告）号： | CN1444317A | 公开（公告）日： | 2003-09-24 |
| 发明（设计）人： | 原君男;川崎和重 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/30 | 分类号： | H01S5/30;H01L33/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 刘宗杰,梁永 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的课题是构成具有设计自由度高的低反射率的覆盖膜的光半导体器件。本发明的光半导体器件系在具有等效折射率nc的半导体激光器12的一个端面上设置具有折射率为n1、膜厚为d1的第1层镀膜16和折射率为n2、膜厚为d2的第2层镀膜18的低反射镀膜14，该低反射镀膜14以如下方式制成：在使第2层镀膜18的表面上的自由空间的折射率为n0时，在半导体激光器的规定的激光波长λ0处，由该波长λ0、折射率n1和n2、膜厚d1和d2规定的振幅反射率的实部和虚部为0，并且在n1、n2中只有某一方小于nc与n0的乘积的平方根。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种光半导体器件，其特征在于：包括：具有使光入射或射出的端面、具有等效折射率nc的光半导体元件；以及具有在该光半导体元件的端面上设置的、折射率为n1、当取系数a0为正实数时膜厚为a0×d1的第1覆盖膜和在该第1覆盖膜上设置的、折射率为n2、膜厚为a0×d2的第2覆盖膜的覆盖膜层，使上述覆盖膜层的表面上的自由空间的折射率为n0时，对于在上述光半导体元件中传播的光的波长λ0而言，由该波长λ0、上述折射率n1和n2、上述膜厚a0×d1和a0×d2规定的振幅反射率的实部和虚部为0，并且在上述n1、n2中只有某一方小于上述nc与n0的乘积的平方根。
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