[发明专利]具有利用激光方法成型的接触电极的接触器有效
| 申请号： | 03120223.3 | 申请日： | 2003-03-07 |
| 公开（公告）号： | CN1476068A | 公开（公告）日： | 2004-02-18 |
| 发明（设计）人： | 丸山茂幸;福田惠介;渡边直行;熊田原巧;松下直久;今门正幸;玉木京平;野澤宏 | 申请（专利权）人： | 富士通株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 冯赓宣 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 通过对由导电材料构成的接触电极照射激光束，成型具有具有预定形状的接触电极。在将接触端相对侧的、每个接触电极的端部接合到接触板上后，可以照射激光束，以使接触电极变形，从而使接触端位于预定位置。在加热或冷却激光束照射部分对面的接触电极部分时，照射激光束。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 利用 激光 方法 成型 接触 电极 接触器 | ||
【主权项】：
1.一种与电子部件的电极实现接触的接触器的制造方法，该制造方法包括：通过对导电材料构成的接触电极照射激光束从而使接触电极变形为预定形状，至少成型一个接触电极的步骤。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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