[发明专利]图案光刻胶的微缩制造过程有效
申请号: | 03120287.X | 申请日: | 2003-03-10 |
公开(公告)号: | CN1288719C | 公开(公告)日: | 2004-09-22 |
发明(设计)人: | 张尚文;陈家桢;刘家助;林思闽;陈正中 | 申请(专利权)人: | 联华电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/027 | 分类号: | H01L21/027;G03F7/00 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人: | 任永武 |
地址: | 台湾省新竹科学*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种图案光刻胶的微缩制造过程,包括:提供一半导体衬底,其上具有一光刻胶层;藉由一光学光刻工序形成多个具有第一线宽的图案光刻胶于半导体衬底上;进行一酸化工序以形成一具有酸性物质的扩散层于多个图案光刻胶上;进行一再烘烤工序以使扩散层内的酸性物质扩散至多个图案光刻胶中,同时使得酸性物质与位于其扩散深度内的多个图案光刻胶进行一链锁反应以形成多个化学反应层于多个图案光刻胶的表层中,其中,多个图案光刻胶中的酸性物质的扩散深度是取决于酸化工序的酸性物质的扩散速率;以及进行一再显影工序以去除多个化学反应层并形成多个具有第二线宽的图案光刻胶于半导体衬底上。其中上述的所有工序是藉由原位反应的方式进行的。 | ||
搜索关键词: | 图案 光刻 微缩 制造 过程 | ||
【主权项】:
1.一种图案光刻胶的微缩方法,其特征在于,至少包含下列步骤:提供一半导体衬底,其上具有一第一线宽的一图案光刻胶;藉由一化学物质以形成一化学扩散层于该图案光刻胶上;扩散该化学扩散层内的该化学物质至该图案光刻胶中,使得该图案光刻胶与该化学物质进行一化学反应以形成一化学反应层于该图案光刻胶的表层中;与移除该化学反应层以修正该半导体衬底上的该图案光刻胶的第一线宽而成一第二线宽。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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