[发明专利]接触窗的制造方法及其结构有效
| 申请号： | 03120403.1 | 申请日： | 2003-03-13 |
| 公开（公告）号： | CN1531059A | 公开（公告）日： | 2004-09-22 |
| 发明（设计）人： | 陈东佑;来汉中 | 申请（专利权）人： | 友达光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/28;H01L21/30;G02F1/133 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 周长兴 |
| 地址： | 台湾省新竹市*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种接触窗的制造方法及其结构，此方法首先提供一基板，其中基板上已形成有一第一导电层，第一导电层上已形成有一介电层，且介电层中已形成有一接触窗开口，暴露出第一导电层。接着，在暴露的第一导电层的表面上形成一导电纳米粒子层。之后，再于接触窗开口内形成一第二导电层，覆盖导电纳米粒子层，以形成一接触窗结构。在接触窗底部形成导电纳米粒子层可以防止第二导电层产生剥离，而且本发明的方法较公知方法成本低。 | ||
| 搜索关键词： | 接触 制造 方法 及其 结构 | ||
【主权项】：
1、一种接触窗的制造方法，包括：提供一基板，该基板上已形成有一第一导电层，该第一导电层上已形成有一介电层，且该介电层中已形成有一接触窗开口，暴露出该第一导电层；在暴露的该第一导电层的表面上形成一导电纳米粒子层；以及在该接触窗开口内形成一第二导电层，覆盖该导电纳米粒子层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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