[发明专利]一种表面形状识别传感器的制造方法无效
申请号: | 03120449.X | 申请日: | 2003-03-17 |
公开(公告)号: | CN1445716A | 公开(公告)日: | 2003-10-01 |
发明(设计)人: | 田边泰之;町田克之;久良木亿;大西哲也;熊崎利彦 | 申请(专利权)人: | 日本电信电话株式会社;夏普株式会社;NTT电子股份有限公司 |
主分类号: | G06K9/00 | 分类号: | G06K9/00 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 刘晓峰 |
地址: | 暂无信息 | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种制造一种表面形状识别传感器的方法,在一个半导体衬底上形成第一和第二互连部分。在这个半导体衬底上形成一个中间介电膜。一个通过中间介电膜上的第一和第二直通孔,电气连接互连部分的第一金属膜。一个位于第一金属膜上的第一掩模,用于覆盖分别对应直通孔的预定第一和第二区域。可选择地去除这个露出的第一金属膜。一个绝缘钝化膜,用于覆盖传感器电极和连接电极膜。一个位于钝化膜上,能够到达连接电极膜的第三直通孔。一个位于钝化膜上,能够与露出的连接电极相接触的第二金属膜。一个位于第二金属膜上,并在一个预定区域内有一个图形部分的第二掩模。可选择地去除第二金属膜,形成一个通过连接电极膜,连接第二互连部分的接地电极。 | ||
搜索关键词: | 一种 表面 形状 识别 传感器 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种制造一种表面形状识别传感器的方法,其特征在于包括下列步骤:在一个半导体衬底上形成第一和第二互连部分(104a,104b);在这个半导体衬底上形成一个中间介电膜(105),用于覆盖第一和第二互连部分;通过在这个中间介电膜上形成的直通孔(106a,106b),形成能够电气连接第一和第二互连部分的第一金属膜;在第一金属膜上形成一个第一掩模,用于覆盖分别对应于第一和第二直通孔的预定第一和第二区域;可选择地去除暴露在第一掩模底部下的第一金属膜,形成一个传感器电极(107)和一个连接电极膜(108),这个传感器电极和这个连接电极膜分别位于第一和第二区域内,由连接第一和第二互连部分的第一金属膜形成;在这个中间介电膜上形成由一种绝缘材料制成的钝化膜(109),用于覆盖传感器电极和连接电极膜;在这个钝化膜上形成一个能够到达连接电极膜的第三直通孔(109a);在这个钝化膜上形成一个能够与暴露在第三直通孔底部的连接电极膜接触的第二金属膜(110);在第二金属膜上形成一个第二掩模(111),第二掩模(111)有一个在预定区域内的图形部分,该预定区域还包括一个第三直通孔在内,但不包括一个对应于传感器电极的区域;和可选择去除第二金属膜,并用第二掩模图形作为一个掩模,通过连接电极膜形成一个连接第二互连部分的接地电极(112)。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于日本电信电话株式会社;夏普株式会社;NTT电子股份有限公司,未经日本电信电话株式会社;夏普株式会社;NTT电子股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/03120449.X/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:纸张取出装置
- 下一篇:用于播放图像信号的装置和方法