[发明专利]光电器件及光电器件的制造方法有效
| 申请号： | 03120470.8 | 申请日： | 2003-03-19 |
| 公开（公告）号： | CN1445866A | 公开（公告）日： | 2003-10-01 |
| 发明（设计）人： | 丸山英治 | 申请（专利权）人： | 三洋电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L31/04 | 分类号： | H01L31/04;H01L31/0236;H01L31/18;C23C14/06 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 黄剑峰 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种光电器件及该光电器件的制造方法，在由n型硅片、i型氢化非晶体硅层及p型氢化非晶体硅层构成的半导体层上，形成作为透光性导电膜的ITO膜，在这样制成的光电器件中，ITO膜由与半导体层接近一侧的作为碱性物质扩散防止区域的界面层、和分层淀积在该界面层上的体层来构成。通过对形成界面层及体层时的水分分压进行变动，而将界面层的结晶性降低到比体层的结晶性更低。 | ||
| 搜索关键词： | 光电 器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种光电器件，包括：半导体层；和在上述半导体层上所形成的透光性导电膜；其中，上述透光性导电膜具有碱性物质扩散防止区域。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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