[发明专利]不良芯片的补救率提高了的半导体存储器

摘要

在存储单元阵列14中设置了配置备用存储单元的备用列。存储单元阵列14可在存储单元阵列的右半部分和左半部分中变更根据同一行地址一并地选择的子字线的分配。可通过切断在SD发生电路4中内置的熔断元件来进行该分配的变更。即使是多个不良存储单元集中在同一存储单元行的情况，由于可利用地址分配的变更使与不良存储单元的行地址对应的选择单位中的数目分散，故也可利用备用存储单元来增加能补救的芯片。因而，在不增加备用存储单元的数目的情况下可提高不良芯片的补救率。

主权项

1.一种半导体存储器，其特征在于，具备：第1～第4正规存储单元组，各自包含多个正规存储单元；第1、第2预备存储单元，用来对上述多个正规存储单元中的缺陷存储单元进行置换；第1选择电路，以非易失性的方式保持地址分配信息，响应于作为输入地址而供给的第1地址值，与上述第1预备存储单元一起选择根据上述地址分配信息而决定的上述第1～第4正规存储单元组中的某2个正规存储单元组，响应于作为上述输入地址而供给的第2地址值，与上述第2预备存储单元一起选择根据上述地址分配信息而决定的上述第1～第4正规存储单元组中的另外2个正规存储单元组；以及第2选择电路，以非易失性的方式保持置换信息，根据上述置换信息选择上述第1预备存储单元来代替根据上述第1地址值选择的正规存储单元中的第1缺陷存储单元，根据上述置换信息选择上述第2预备存储单元来代替根据上述第2地址值选择的正规存储单元中的第2缺陷存储单元。