[发明专利]氮化镓基发光二极管管芯的制作方法无效
| 申请号： | 03120597.6 | 申请日： | 2003-03-14 |
| 公开（公告）号： | CN1531120A | 公开（公告）日： | 2004-09-22 |
| 发明（设计）人： | 张书明;杨辉 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 100083北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明一种氮化镓基发光二极管管芯的制作方法，该方法适用于碳化硅衬底、硅衬底和砷化镓等导电衬底上外延的氮化镓基发光二极管结构的管芯的制作，包括如下步骤：1)在碳化硅等导电衬底上分别制作N型氮化镓层、有源区和P型氮化镓层；2)在P型GaN层上制备P型欧姆接触接触电极；3)将衬底从背面用研磨的方法或离子减薄技术将其减薄到70μm到150μm之间；4)在减薄的面上用光刻和蒸发或溅射的方法制备N电极；5)最后用切割法或划片法沿设计好的管芯的分割道分割成单管芯。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化 发光二极管 管芯 制作方法 | ||
【主权项】：
1、一种氮化镓基发光二极管管芯的制作方法，该方法适用于碳化硅衬底、硅衬底和砷化镓等导电衬底上外延的氮化镓基发光二极管结构的管芯的制作，其特征在于，包括如下步骤：1)在碳化硅等导电衬底上分别制作N型氮化镓层、有源区和P型氮化镓层；2)在P型氮化硅层上制备P型欧姆接触电极；3)将衬底从背面用研磨的方法或离子减薄技术将其减薄到70μm到150μm之间；4)在减薄的面上用光刻和蒸发或溅射的方法制备N电极；5)最后用切割法或划片法沿设计好的管芯的分割道分割成单个管芯。
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