[发明专利]光电转换装置及其制造方法

摘要

本发明涉及一种可以提高晶体硅类半导体和非晶体硅类半导体的界面特性，改善结合特性的光电转换装置。这种光电转换装置可以按照夹持着i型非晶体硅制薄层(12)的方式，叠层设置有n型单晶体硅制基板(11)和p型非晶体硅制薄层(13)，在单晶体硅制基板(11)的内面侧处还通过i型非晶体硅制薄层(14)，设置有n型非晶体硅制薄层(15)，而且在单晶体硅制基板(11)与i型非晶体硅制薄层(12)、(14)间的界面处，存在有其浓度比i型非晶体硅制薄层(12)、(14)中的氧原子浓度高的氧原子。

主权项

1.一种光电转换装置，其特征在于具有一种导电型的导入有杂质的晶体类半导体，形成在所述导电型晶体类半导体上的、基本上为真正的非晶体类半导体薄膜，以及形成在这种基本上为真正的非晶体类半导体薄膜上的、同种导电型的导入有杂质或其他种导电型杂质的非晶体类半导体薄膜，而且在由所述晶体类半导体和基本上为真正的非晶体类半导体薄膜形成的界面处，还使减少所述基本上为真正的非晶体类半导体薄膜的平均配位数目用的原子浓度比主体中的浓度高。