[发明专利]整合镶嵌制程于制造金属－绝缘物－金属型电容的方法无效
| 申请号： | 03120743.X | 申请日： | 2003-03-19 |
| 公开（公告）号： | CN1532911A | 公开（公告）日： | 2004-09-29 |
| 发明（设计）人： | 顾子琨 | 申请（专利权）人： | 矽统科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/70 | 分类号： | H01L21/70;H01L21/28;H01L21/31;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 王一斌 |
| 地址： | 台湾省新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明揭示一种整合镶嵌制程于制造金属－绝缘物－金属型(metal－insulator－metal，MIM)电容的方法。首先，提供一基底，其表面嵌入有一下电极及一下层导线层。在基底上沉积一第一介电层，再在第一介电层中形成一第一开口以露出下电极以及形成一第二开口以露出下层导线层，其中第一开口宽度大于第二开口。接着，借由电化学电镀在第一开口内表面形成一第一金属层并填入第二开口。之后，在第一开口的第一金属层上顺应性形成一电容介电层。最后，在第一开口中填入一第二金属层以作为一上电极。 | ||
| 搜索关键词： | 整合 镶嵌 制造 金属 绝缘 电容 方法 | ||
【主权项】：
1.一种整合镶嵌制程于制造金属-绝缘物-金属型电容的方法，至少包括下列步骤：提供一基底，其表面嵌入有一下电极及一下层导线层；在该基底上沉积一第一介电层；在该第一介电层中形成一第一开口以露出该下电极以及形成一第二开口以露出该下层导线层，其中该第一开口宽度大于该第二开口；借由电化学电镀在该第一开口内表面形成一第一金属层并填入该第二开口；在该第一开口的该第一金属层上顺应性形成一电容介电层；以及在该第一开口中填入一第二金属层以作为一上电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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