[发明专利]应用于高密度组件的金氧半场效晶体管及其制造方法

摘要

一种金氧半场效晶体管及其制造方法，用以制造出高密度和低线宽的喷墨头芯片，此金氧半场效晶体管是在硅基板形成具有较浅的掺质接面深度的源极和汲极，配合较低温的制作过程使源极和汲极掺质不会因高温扩散而互触，再在汲极源极接触孔加以高熔点材的栓柱以避免导体与硅接面的互熔渗穿而破坏组件特性，以达到喷墨头芯片的高组件密度的需求。

主权项

1.一种应用于高密度组件的金氧半场效晶体管，用以与一喷墨制动组件相连接，以作为控制电流通过该组件的驱动组件，包含具有一源极(Source)、一汲极(Drain)和一闸极(Gate)，其特征在于：该场效体覆盖有一硼磷硅玻璃层，该硼磷硅玻璃层经热熔流而成；该硼磷硅玻璃层在对应于该源极和该汲极的位置各形成一接触孔，该接触孔填有一阻隔材料；该闸极长度为0.35微米至3.5微米，该源极和该汲极的掺质深度总和为闸极长度的0.2倍到0.75倍。