[发明专利]用以制造半导体装置的化学气相沉积设备的喷头有效
| 申请号： | 03120956.4 | 申请日： | 2003-03-21 |
| 公开（公告）号： | CN1450598A | 公开（公告）日： | 2003-10-22 |
| 发明（设计）人： | 李承善;徐现模 | 申请（专利权）人： | 周星工程股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205;C23C16/00;B05B1/00 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 戈泊,程伟 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种用以制造半导体装置的化学气相沉积(CVD)设备的喷头，包含一气体供应管；一具有一底板的喷头本体，所述喷头本体连接至所述气体供应管，所述底板具有多个穿透所述底板的第一注入孔与第二注入孔，其中所述第一注入孔的入口直径小于所述第一注入孔的出口直径，所述第二注入孔的入口直径大于所述第二注入孔的出口直径，且所述第二注入孔与所述第一注入孔交替地配置。 | ||
| 搜索关键词： | 用以 制造 半导体 装置 化学 沉积 设备 喷头 | ||
【主权项】：
1.一种用以制造半导体装置的CVD设备的喷头，其特征在于：包含：一气体供应管；一具有一底板的喷头本体，所述喷头本体连接至所述气体供应管，所述底板具有多个穿透所述底板的第一注入孔与第二注入孔，其中所述第一注入孔的入口直径小于所述第一注入孔的出口直径，所述第二注入孔的入口直径大于所述第二注入孔的出口直径，且所述第二注入孔与所述第一注入孔交替地配置。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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