[发明专利]半导体器件及晶体管的短信道效应最小化的方法有效
| 申请号： | 03121105.4 | 申请日： | 2003-03-21 |
| 公开（公告）号： | CN1447444A | 公开（公告）日： | 2003-10-08 |
| 发明（设计）人： | 林宏穗;赖汉昭;卢道政 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京集佳专利商标事务所 | 代理人： | 王学强 |
| 地址： | 台湾省新竹科*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种半导体器件，包括至少二晶体管、一导体层、一栅氧化层及一栅极结构。每一晶体管包括有源极区、漏极区以及浅沟渠隔离结构，其中浅沟渠隔离结构形成于源极区及漏极区之间，且与源极区及漏极区相邻接，并且将源极区及漏极区电性隔离，以使晶体管的短信道效应最小化。导体层配置于源极区、浅沟渠隔离结构及漏极区之上，且导体层将源极区及漏极区电性连接，以作为信道区。栅氧化层配置于导体层之上。栅极结构形成于栅氧化层之上。栅极结构、源极区及漏极区形成一个晶体管。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 晶体管 信道 效应 最小化 方法 | ||
【主权项】：
1、一种半导体器件，其特征在于：包括：一基底，其具有一源极区、一漏极区及一浅沟渠隔离结构，其中该浅沟渠隔离结构位于该源极区及该漏极区之间，且与该源极区及该漏极区相邻接，并且电性隔离该源极区及该漏极区；一导体层，配置于该基底之上，该导体层与该源极区、该浅沟渠隔离结构及该漏极区局部重叠；一栅氧化层，配置于该导体层之上；以及一栅极结构，位于该栅氧化层之上，该栅极结构、该源极区及该漏极区构成一晶体管。
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