[发明专利]透明导电性薄膜及其制造方法和制造用烧结体靶及透明导电性基体材料或有机电发光元件有效
| 申请号： | 03121240.9 | 申请日： | 2003-03-27 |
| 公开（公告）号： | CN1446940A | 公开（公告）日： | 2003-10-08 |
| 发明（设计）人： | 阿部能之 | 申请（专利权）人： | 住友金属矿山株式会社 |
| 主分类号： | C23C14/08 | 分类号： | C23C14/08;C23C14/34 |
| 代理公司： | 北京三幸商标专利事务所 | 代理人： | 刘激扬 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供透明导电性薄膜、具有该透明导电性薄膜的显示屏用透明导电性基体材料及发光特性优良的有机电发光元件。透明导电性薄膜，通过使用烧结体靶的溅射喷镀等可以容易地形成，不需要腐蚀和研磨加工的后处理，具有低电阻，并且表面平滑性优良，在可见光领域的低波长侧透过率大。透明导电性薄膜是以氧化铟为主要成份含有硅的透明导电性薄膜，其构造实质上是非结晶质，而且硅的含量，对于铟和硅的合计量是0.5～13原子％；或者是以氧化铟为主要成份含有钨和锗的透明导电性薄膜，W/In的原子数比是0.003～0.047及Ge/In的原子数比是0.001～0.190。 | ||
| 搜索关键词： | 透明 导电性 薄膜 及其 制造 方法 烧结 基体 材料 机电 发光 元件 | ||
【主权项】：
1.一种透明导电性薄膜，其特征是以氧化铟为主要成份含有硅的透明导电性薄膜，其构造实质上是非结晶质，而且硅的含量，对于铟和硅的合计量是0.5～13原子％。
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