[发明专利]一种制作双镶嵌结构的方法

摘要

本发明提供一种制作双镶嵌结构(dual damascenestructure)的方法。首先于一半导体晶片表面依序形成一第一介电层、一第二介电层、一第一硬罩幕层以及一第二硬罩幕层，接着于该第二硬罩幕层表面形成一用来定义一上层沟槽图案的第一光阻层。随后去除未被该第一光阻层覆盖的该第二硬罩幕层，直至该第一硬罩幕层表面，然后再于该半导体晶片表面形成一用来定义一下层接触洞图案的第二光阻层。接着去除未被该第二光阻层覆盖的该第一硬罩幕层以及该第二介电层，直至该第一介电层表面，然后蚀刻未被该第二硬罩幕层所覆盖的该第一硬罩幕层，并去除未被该第一硬罩幕层所覆盖的该第二介电层至一预定深度，最后再去除该第二硬罩幕层以及未被该第一硬罩幕层所覆盖的该第一介电层。

主权项

1.一种制作双镶嵌结构的方法，该方法包含有下列步骤：提供一半导体晶片，且该半导体晶片包含有一基底以及一导电层设于该基底上；于该半导体晶片表面依序形成一第一介电层、一第二介电层、一第一硬罩幕层以及一第二硬罩幕层，并覆盖于该导电层之上；进行一第一黄光制程，于该第二硬罩幕层表面形成一第一光阻层，以定义该双镶嵌结构的一上层沟槽的图案；进行一第一蚀刻制程，沿着该第一光阻层的图案去除未被该第一光阻层覆盖的该第二硬罩幕层，直至该第一硬罩幕层表面；去除该第一光阻层；进行一第二黄光制程，于该半导体晶片表面形成一第二光阻层，以定义该双镶嵌结构的一下层接触洞的图案；进行一第二蚀刻制程，沿着该第二光阻层的图案去除未被该第二光阻层覆盖的该第一硬罩幕层以及该第二介电层，直至该第一介电层表面；去除该第二光阻层；以及进行一第三蚀刻制程，先去除未被该第二硬罩幕层所覆盖的该第一硬罩幕层，然后去除未被该第一硬罩幕层所覆盖的该第二介电层至一预定深度并去除该第二硬罩幕层以及未被该第一硬罩幕层所覆盖的该第一介电层，直至该导电层表面。