[发明专利]监测、曝光、腐蚀方法、半导体器件制造方法及曝光装置无效
| 申请号： | 03121354.5 | 申请日： | 2003-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN1447194A | 公开（公告）日： | 2003-10-08 |
| 发明（设计）人： | 浅野昌史;小峰信洋;井上壮一 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | G03F9/00 | 分类号： | G03F9/00;G03F7/20;G03F7/26;H01L21/027 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 陈海红,段承恩 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供一种监测方法，可以高精度地测定微细图形加工尺寸。该监测方法包括以下步骤：在衬底膜(2)上形成至少一边有对衬底膜(2)的表面倾斜的倾斜侧壁(20)的监测抗蚀剂图形(13)，测定与倾斜侧壁(20)和衬底膜相交方向垂直的方向上的监测抗蚀剂图形(13)的宽度；以监测抗蚀剂图形(13)作为掩模，选择性腐蚀衬底膜(2)来形成监测衬底膜图形(12)，测定与倾斜侧壁(20)和衬底膜相交方向垂直的方向上的所述监测衬底膜图形(12)的宽度；以及根据监测抗蚀剂图形(13)的宽度和监测衬底膜图形(12)的宽度之差，获得偏移宽度Δs。 | ||
| 搜索关键词： | 监测 曝光 腐蚀 方法 半导体器件 制造 装置 | ||
【主权项】：
1.一种监测方法，其特征在于，包括：在衬底膜上形成至少一边具有对所述衬底膜的表面倾斜的倾斜侧壁的监测抗蚀剂图形，测定垂直于所述倾斜侧壁和所述衬底膜相交方向上的所述监测抗蚀剂图形的宽度的步骤；以所述监测抗蚀剂图形作为掩模，选择性腐蚀所述衬底膜来形成监测衬底膜图形，测定所述垂直方向的所述监测衬底膜图形的宽度的步骤；以及根据所述监测抗蚀剂图形的宽度和所述监测衬底膜图形的宽度之差，获得所述监测抗蚀剂图形和所述监测衬底膜图形的偏移宽度的步骤。
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