[发明专利]光掩模、聚焦监视方法、曝光量监视方法和半导体器件的制造方法无效
申请号: | 03121360.X | 申请日: | 2003-03-26 |
公开(公告)号: | CN1447189A | 公开(公告)日: | 2003-10-08 |
发明(设计)人: | 酢谷拓路;出羽恭子;藤泽忠仁;井上壮一 | 申请(专利权)人: | 株式会社东芝 |
主分类号: | G03F1/16 | 分类号: | G03F1/16;G03F7/20;H01L21/027 |
代理公司: | 北京市中咨律师事务所 | 代理人: | 段承恩,陈海红 |
地址: | 暂无信息 | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明的目的在于以高灵敏度,高精度,监视曝光光源相对焦点位置的偏离,或曝光量变化。在光掩模上,具有器件图案,该器件图案具有开口部与掩模部;聚焦监视图案,或曝光量监视图案,该聚焦监视图案或曝光量监视图案具有开口部和掩模部,具有与器件图案中的至少一部分区域相同的平面图案形状。聚焦监视图案的开口部与掩模部的透射曝光光的相位差,与上述器件图案的开口部与掩模部的透射曝光光的相位差不同。另外,曝光量监视图案的开口部与器件图案的开口部的曝光光透射率不同。 | ||
搜索关键词: | 光掩模 聚焦 监视 方法 曝光 半导体器件 制造 | ||
【主权项】:
1.一种光掩模,其特征在于该光掩模具有:掩模基板;器件图案,该器件图案设置于上述掩模基板上,具有开口部与掩模部;第1聚焦监视图案,该第1聚焦监视图案设置于上述掩模基板上,其具有与上述器件图案中的至少一部分区域相同的平面图案形状的开口部与掩模部;上述第1聚焦监视图案的开口部与掩模部的透射曝光光的相位差,与上述器件图案的开口部与掩模部的透射曝光光的相位差不同。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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