[发明专利]光掩模、聚焦监视方法、曝光量监视方法和半导体器件的制造方法无效

专利信息
申请号: 03121360.X 申请日: 2003-03-26
公开(公告)号: CN1447189A 公开(公告)日: 2003-10-08
发明(设计)人: 酢谷拓路;出羽恭子;藤泽忠仁;井上壮一 申请(专利权)人: 株式会社东芝
主分类号: G03F1/16 分类号: G03F1/16;G03F7/20;H01L21/027
代理公司: 北京市中咨律师事务所 代理人: 段承恩,陈海红
地址: 暂无信息 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明的目的在于以高灵敏度,高精度,监视曝光光源相对焦点位置的偏离,或曝光量变化。在光掩模上,具有器件图案,该器件图案具有开口部与掩模部;聚焦监视图案,或曝光量监视图案,该聚焦监视图案或曝光量监视图案具有开口部和掩模部,具有与器件图案中的至少一部分区域相同的平面图案形状。聚焦监视图案的开口部与掩模部的透射曝光光的相位差,与上述器件图案的开口部与掩模部的透射曝光光的相位差不同。另外,曝光量监视图案的开口部与器件图案的开口部的曝光光透射率不同。
搜索关键词: 光掩模 聚焦 监视 方法 曝光 半导体器件 制造
【主权项】:
1.一种光掩模,其特征在于该光掩模具有:掩模基板;器件图案,该器件图案设置于上述掩模基板上,具有开口部与掩模部;第1聚焦监视图案,该第1聚焦监视图案设置于上述掩模基板上,其具有与上述器件图案中的至少一部分区域相同的平面图案形状的开口部与掩模部;上述第1聚焦监视图案的开口部与掩模部的透射曝光光的相位差,与上述器件图案的开口部与掩模部的透射曝光光的相位差不同。
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