[发明专利]一种准单跳变测试集的低功耗内建自测试产生器无效
| 申请号： | 03121394.4 | 申请日： | 2003-03-27 |
| 公开（公告）号： | CN1534753A | 公开（公告）日： | 2004-10-06 |
| 发明（设计）人： | 何蓉晖;李晓维 | 申请（专利权）人： | 中国科学院计算技术研究所 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;G01R31/28 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 100080*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及大规模集成电路中的准单跳变测试集的低功耗内建自测试产生器。由n位线性反馈移位寄存器LFSR、n位环型移位寄存器CSR、非门、或非门、n个异或门组成。使有效时钟频率降为原来的1/2n(n为LFSR的位数)。本发明可用于随机数字逻辑电路的内建自测试，节省测试功耗效果明显，又结构简单。经故障仿真后可找到获得理想故障覆盖的内测试件初态。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 准单跳变 测试 功耗 产生器 | ||
【主权项】：
1.一种准单跳变测试集的低功耗内建自测试产生器，包括：n位线性反馈移位寄存器LFSR(2)和n位环型移位寄存器CSR(4)用于提供未经改造的测试集信号；非门(3)用于使CSR(4)得以产生单跳变的周期为2n的序列；或非门(5)和与门(1)用于对LFSR(2)的时钟进行门控制；n个异或门(6)用于对LFSR(2)和CSR(4)的值进行异或，并输出准单跳变测试集信号。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
