[发明专利]制造半导体器件的方法无效
| 申请号： | 03121469.X | 申请日： | 2003-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN1449016A | 公开（公告）日： | 2003-10-15 |
| 发明（设计）人： | 濑户雅晴;松尾美惠 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 于静,李峥 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 按照本发明第一方面所述制造半导体器件的方法包括：形成一个第一光敏树脂固化层，该第一光敏树脂固化层包括在半导体基板上方的一个第一开口，在上述半导体基板上形成一个基础布线层，第一开口在基础布线层上方制成；在第一光敏树脂固化层上形成一个第二光敏树脂固化层，该第二光敏树脂固化层包括一个第二开口，第二开口的底部包括第一开口的开口顶部；及形成一个布线层以便填满第一和第二开口。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造半导体器件的方法，包括：形成一个第一光敏树脂固化层，该第一光敏树脂固化层包括一个在半导体基板上的第一开口，在半导体基板上形成一个基础布线层，第一开口在基础布线层上形成；形成一个第二光敏树脂固化层，该第二光敏树脂固化层包括一个在第一光敏树脂固化层上的第二开口，该第二开口的底部包括第一开口的开口顶部；及形成一个布线层，以便填满第一和第二开口，
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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