[发明专利]电荷束曝光装置、采用电荷束的曝光方法、电荷束的控制方法和半导体器件的制造方法无效

专利信息
申请号: 03121474.6 申请日: 2003-03-28
公开(公告)号: CN1452014A 公开(公告)日: 2003-10-29
发明(设计)人: 长野修;桥本进;山崎裕一郎;安藤厚司 申请(专利权)人: 株式会社东芝
主分类号: G03F7/20 分类号: G03F7/20;H01L21/027;H01J37/00
代理公司: 北京市中咨律师事务所 代理人: 段承恩,陈海红
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摘要: 一种电荷束曝光装置,该电荷束曝光装置具备电荷束发射器、照明光学系统、单元孔阑、第1偏转器、缩小投影光学系统、第2偏转器;上述电荷束发射器以下述加速电压发射上述电荷束,该电压指低于接近效果所产生的电压的加速电压;上述缩小投影光学系统包括象差补偿器,该象差补偿器具有N层(N为2或以上的自然数)的M极子透镜(M为4或以上的偶数),为了减小在上述电荷束的基板上成像的位置的空间电荷效应导致的模糊,沿分别与上述光轴相垂直的(M/2)方向相互独立地对通过上述照明光学系统,使上述射束直径增加的场合所产生的开口象差和色象差中的至少任何一个象差进行补偿。
搜索关键词: 电荷 曝光 装置 采用 方法 控制 半导体器件 制造
【主权项】:
1.一种电荷束曝光装置,该电荷束曝光装置具备:电荷束发射器,该电荷束发射器产生电荷束,将其射向基板;照明光学系统,该照明光学系统调整上述电荷束的射束直径;单元孔阑,该单元孔阑具有对应于所需绘制图案形状的单元图案;第1偏转器,该第1偏转器通过电场,使上述电荷束偏转,使其射入上述单元孔阑的所需的单元图案,将通过上述单元图案的上述电荷束偏转回到其光轴上;缩小投影光学系统,该缩小投影光学系统通过电场,使通过上述单元孔阑的上述电荷束缩小,使其在上述基板上成像;照明位置调整部,该照明位置调整部调整上述电荷束的照明位置,以使射入上述缩小投影光学系统内部的上述电荷束,通过在与光轴相垂直的二个平面中的一个面中的以上述光轴为中心基本对称的轨道;第2偏转器,该第2偏转器通过电场,使通过上述单元孔阑的上述电荷束偏转,在上述基板上进行扫描;上述电荷束发射器以下述加速电压发射上述电荷束,该电压指低于对在接受了上述电荷束的照射的上述基板内部产生的后方散射电子接近上述电荷束的照射位置的绘制图案的曝光量造成影响的接近效果所产生的电压的加速电压。
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