[发明专利]气相有机材料沉积方法和使用该方法的气相有机材料沉积设备有效
申请号: | 03121565.3 | 申请日: | 2003-03-31 |
公开(公告)号: | CN1450610A | 公开(公告)日: | 2003-10-22 |
发明(设计)人: | 金东秀;裴京彬;崔东权 | 申请(专利权)人: | 高级网络服务公司 |
主分类号: | H01L21/312 | 分类号: | H01L21/312;H01L21/47;C23C14/56;C23C14/12 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 刘国平 |
地址: | 暂无信息 | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明涉及气相有机材料沉积方法和使用该方法的气相有机材料沉积设备,该设备可以通过如下方式在更宽基材上均匀地快速生长薄膜:使用安装在该设备上侧的喷雾单元在重力方向喷雾气相有机材料和通过使用稀释气体作为沉积材料和连续携带少量热源到扫描头而精确和稳定地调节有机薄膜更宽基材的厚度。 | ||
搜索关键词: | 有机 材料 沉积 方法 使用 设备 | ||
【主权项】:
1.一种气相有机材料沉积设备,包括:沉积腔,该沉积腔具有:与外部分离的内部空间,在内部空间底表面中形成的用于安装沉积气相有机材料的母材料的母材料安装部分,位于母材料安装部分上部分并用于在母材料安装部分方向上喷雾气相有机材料的喷雾单元,和至少一个以上的向上壁表面和侧壁表面辐射热量的保温加热器;至少一个以上的有机材料腔,该有机材料腔具有:至少一个以上的以孔形状形成的载气入口孔,携带气相有机材料的载气通过该入口孔流入;至少一个以上的以孔形状形成的气相有机材料出口孔,通过该出口孔排出有机材料蒸气和载气;由耐热材料形成并具有用于贮存有机材料的内部空间的加热炉;以及有机材料加热用加热器,该加热器围绕加热炉的外周围部分并将加热炉的内部加热到有机材料蒸发所需的温度;流量控制器,其与载气入口孔连接并控制流入有机材料腔内部的载气量和流速;气相有机材料携带管,其以通过沉积腔和有机材料腔的形式形成并以管子形状形成,使得有机材料腔中的气相有机材料被携带到喷雾单元;和用于降低沉积腔内部压力的真空泵。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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