[发明专利]具有基体接触的薄膜晶体管组件无效
| 申请号： | 03121631.5 | 申请日： | 2003-03-18 |
| 公开（公告）号： | CN1532946A | 公开（公告）日： | 2004-09-29 |
| 发明（设计）人： | 柯明道;龚文侠;戴亚翔 | 申请（专利权）人： | 统宝光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;G02F1/133 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 陈红;楼仙英 |
| 地址： | 台湾*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种具有基体接触的薄膜晶体管组件，应用于多晶硅薄膜晶体管液晶显示器，借助于薄膜晶体管制作隔离于闸极电极、源极区和汲极区的基体接触区，并借由在基体接触区掺杂与源极区和汲极区不同型态的杂质来施加基体触发(body－trigger)偏压于薄膜晶体管的基体，用来降低薄膜晶体管驱动电路的临界电压(Threshold Voltage)，以增加其驱动电流。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 基体 接触 薄膜晶体管 组件 | ||
【主权项】：
1.一种具有基体接触的薄膜晶体管组件，由一绝缘基体、一多晶硅层、一绝缘层与一闸极电极所组成，该多晶硅层包含有一信道区、一源极区和一汲极区，其特征在于：该源极区与该汲极区掺杂有适当的第一杂质且分别连接于该信道区，该信道区具有连接该绝缘基体与该绝缘层之一基体接触区，该基体接触区表面具有贯穿该绝缘层之一接触层，并且，该接触层未与该闸极电极接触，该基体接触区需掺杂和该源极区与该汲极区不同价数的第二杂质，以提供一基体触发偏压于该绝缘基体。
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