[发明专利]形成熔通借孔结构的方法有效
| 申请号： | 03121651.X | 申请日： | 2003-03-13 |
| 公开（公告）号： | CN1469463A | 公开（公告）日： | 2004-01-21 |
| 发明（设计）人： | 谢聪敏 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/52 | 分类号： | H01L23/52;H01L21/768;H01L21/28;H01L21/3205;H01L21/30 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所 | 代理人： | 任永武 |
| 地址： | 台湾省新竹科学*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种形成熔通借孔结构的方法，包括：提供一底材；形成第一介电层在底材上及形成具有介层洞图案的光阻层在第一介电层上方；蚀刻光阻层使在第一介电层内形成介层洞开口；将一导体层沉积填满介层洞并研磨平坦化导体层以形成位于第一导线正上方的导体栓塞；形成一缓冲层在第一介电层及导体栓塞的上方；研磨移除缓冲层，使部份的导体栓塞暴露；将第一电极形成在导体栓塞及缓冲层上方；将第二介电层形成于第一电极上方，在第二介电层上形成熔通借孔开口；形成第三介电层在熔通借孔开口后，沉积在部份的第二介电层上方及熔通借孔开口的侧壁上；形成第二电极在第三介电层上方并同时填满熔通借孔开口；再沉积第二导线在第二电极上方。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 熔通借孔 结构 方法 | ||
【主权项】：
1.一种熔通借孔结构，其特征在于，包含：一底材具有一第一导线及位于该底材上方的一第一介电层具有一导体栓塞；一第一电极位于该导体栓塞上方；位于该底材上的一第二介电层具有一熔通借孔开口，其中熔通借孔开口不对准于该导体栓塞；一第三介电层位于部份该第二介电层上方及位于该熔通借孔的侧壁上；一第二电极位于该第三介电层上方；及一第二导线位于该第二电极上方。
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