[发明专利]检测晶片阶段缺陷的方法有效
| 申请号： | 03121653.6 | 申请日： | 2003-03-13 |
| 公开（公告）号： | CN1467811A | 公开（公告）日： | 2004-01-14 |
| 发明（设计）人： | 林思闽 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所 | 代理人： | 任永武 |
| 地址： | 台湾省新竹科学*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明揭示一种藉由实际晶方图像与模拟图像比较(Die－to－Aerial Image Comparison)来检测晶片阶段缺陷(Wafer Level Defect)的方法。此方法利用数据库中用于形成光罩的图案来模拟以光罩实际进行制程所形成晶方的图像。模拟的晶方图像则与以光罩实际进行制程所形成晶方的图像比较，以找出晶片阶段的缺陷而不会遗漏由光罩所造成的重复缺陷也不会将制程所产生的晶片阶段缺陷误认为光罩所造成。 | ||
| 搜索关键词： | 检测 晶片 阶段 缺陷 方法 | ||
【主权项】：
1.一种检测晶片阶段缺陷的方法，其特征在于，包含下列步骤：提供一晶方图像；利用一位于一数据库的光罩图案来产生一模拟图像，该光罩图案是用来制造一光罩，而该光罩是用于在一微影制程中形成该晶方图像；及比较该晶方图像与该模拟图像。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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