[发明专利]半导体器件及其制造方法

摘要

提供一种容易实现耐高压且具有高耐压特性和低导通电阻特性的半导体器件。其具有：流过漂移电流的单元区域部分和设置成包围单元区域部分状态的接合终端区域部分；该单元部分具有：n型漏极、与n型漏极连接形成的栅极、与n型漏极连接形成的在导通状态下流过漂移电流且在截止状态下耗尽的n型漂移层、与n漏极和n型漂移层连接形成且在截止状态下耗尽的p型漂移层、与n型漂移层和p型漂移层连接形成的p型基极层、形成在p型基极层的表面部上的n+源极层、绝缘栅极和源极，在该半导体器件中，在接合终端区域部分内设置互相垂直的2个方向中至少在一个方向上形成的第2的n型漂移层和第2的p型漂移层。

主权项

1、一种半导体器件，其特征在于具有：第1的第1导电型半导体层，其具有单元区域部分、及被设置成对该单元区域部分进行包围的接合终端区域部分；第2的第1导电型半导体层，其形成于上述第1的第1导电型半导体层的一边的表面；第1主电极，用于和上述第2的第1导电型半导体层进行电气连接；第1的第2导电型半导体层，其分别形成在上述第1半导体层的上述单元区域部分内大致与上述第1的第1导电型半导体层的一边的表面相垂直的方向上，周期性地布置在与上述一边的表面相平行的任意方向，即第1方向上；第2的第2导电型半导体层，其有选择地形成于与上述第1的第1导电型半导体层的另一边的表面部，与上述第1的第2导电型半导体层相连接；第3的第1导电型半导体层，其有选择地形成于上述第2的第2导电型半导体层的表面部；第2主电极，其被形成为与上述第2的第2导电型半导体层的表面和第3的第1导电型半导体层的表面相连接；控制电极，其隔着栅绝缘膜，形成在上述第1的第1导电型半导体层的另一边的表面中的被相邻的上述第2的第2导电型半导体层夹持的区域、上述相邻的第2的第2导电型半导体层的表面、及上述第3的第1导电型半导体层的表面上；以及第3的第2导电型半导体层，其形成在上述接合终端区域部分内，周期性地布置在上述第1方向及与上述第1方向相垂直的方向中的至少一个方向上。