[发明专利]一种砷化镓基半导体－氧化物绝缘衬底及其制备方法无效
| 申请号： | 03121823.7 | 申请日： | 2003-04-11 |
| 公开（公告）号： | CN1536611A | 公开（公告）日： | 2004-10-13 |
| 发明（设计）人： | 周均铭;陈弘;贾海强;王文冲;黄绮 | 申请（专利权）人： | 中国科学院物理研究所 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人： | 王凤华 |
| 地址： | 100080北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种砷化镓基半导体一氧化物绝缘衬底及其制备方法。本发明提供一种砷化镓基半导体一氧化物绝缘衬底，包括砷化镓衬底，在砷化镓衬底上外延生长厚度为20～2000nm的含Al的半导体化合物层，上面覆盖厚度为5～500nm的砷化镓层。本发明采用AlAs侧向氧化的方法制备砷化镓基半导体一氧化物绝缘衬底。本发明提供的砷化镓基半导体一氧化物绝缘衬底具有良好的热稳定性，并可二次外延，非常有利于器件的性能。另外，这种制作方法还大大增加了器件结构的灵活性，并且非常适于高性能电子器件结构和光电集成电路结构。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 砷化镓基 半导体 氧化物 绝缘 衬底 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种砷化镓基半导体一氧化物绝缘衬底，包括砷化镓衬底，在砷化镓衬底上外延生长厚度为20～2000nm的含Al的半导体化合物层，上面覆盖厚度为5～500nm的砷化镓层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
