[发明专利]氮化镓系化合物半导体的磊晶结构及其制作方法无效
| 申请号： | 03121877.6 | 申请日： | 2003-04-16 |
| 公开（公告）号： | CN1538535A | 公开（公告）日： | 2004-10-20 |
| 发明（设计）人： | 赖穆人;刘家呈;章烱煜 | 申请（专利权）人： | 威凯科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L21/20;H01S5/00 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 黄健 |
| 地址： | 台湾省*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种氮化镓系化合物半导体磊晶结构及其制作方法，是在基板上磊晶形成单晶结构的磷化硼缓冲层后，继续在低温下于上述单晶磷化硼缓冲层上形成III族－氮化物缓冲层，然后在高温下于上述低温下生成的III族－氮化物缓冲层上再生成一III族－氮化物缓冲层，藉此，本发明可提供一种制程简单且成本低的缓冲层结构，使其后续的磊晶层具有较完美的晶体结构，以有效达到提高元件发光效率、亮度与使用寿命等功效。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化 化合物 半导体 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种氮化镓系化合物半导体磊晶结构，包括：—基板；—位于该基板上的单晶结构的磷化硼缓冲层；—在温度200℃至800℃的低温下于该磷化硼缓冲层上形成的第一缓冲层，该第一缓冲层由III族-氮化物的材料所组成；以及—在温度800℃至1100℃的高温下于该第一缓冲层上形成的第二缓冲层，该第二缓冲层是由III族-氮化物的材料所组成。
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