[发明专利]半导体机台气体反应室的气体配送系统及方法

摘要

一种半导体机台气体反应室的气体配送系统及方法，特别是在晶片进行等离子蚀刻或薄膜沉积工艺中，能通过气体流量控制阀参数设定，随时调整等离子气体在反应室里的分布状况，使同一片晶圆的均匀度达到最佳的气体配送系统及方法。首先使输入反应室气体的输送管路经过气体分流器区分为两条管路，其中一条管路接至对应于上电极板气体分配器中心区域的气体喷嘴，另一条管路接至对应于上电极板气体分配器周边区域的气体喷嘴，且中心区域气体喷嘴及周边区域喷嘴并以O型环分隔，以避免两区域的气流发生局部扰流现象，通过流量控制阀调整两条管路的气体流量，并经过上电极板气体分配器的气孔后，可改变气体在反应室的分布情形，以满足不同工艺条件需求。

主权项

1.一种半导体机台气体反应室的气体配送系统，其特征是，包含：一输送气体管路，连接一第一输送气体分流管路和一第二输送气体分流管路；一第一气体流量控制阀，位于该第一输送气体分流管路，其控制该第一输送气体分流管路的气体流量；一第二气体流量控制阀，位于该第二输送气体分流管路，其控制该第二输送气体分流管路的气体流量；一第一气体喷嘴，位于该第一输送气体分流管路的出口；一第二气体喷嘴，位于该第二输送气体分流管路的出口；一气体分隔装置，位于该第一气体喷嘴和该第二气体喷嘴之间，用以分隔从该第一气体喷嘴和该第二气体喷嘴喷出的气体；及一上电极板气体分配器，具有第一多个气孔和第二多个气孔，其中该第一气体喷嘴喷出的气体经由该第一多个气孔进至该气体反应室，该第二气体喷嘴喷出的气体经由该第二多个气孔进至该气体反应室。