[发明专利]并行处理数据读出与写入的薄膜磁性体存储器无效
| 申请号： | 03122096.7 | 申请日： | 2003-04-21 |
| 公开（公告）号： | CN1477638A | 公开（公告）日： | 2004-02-25 |
| 发明（设计）人： | 大石司 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | G11C11/15 | 分类号： | G11C11/15 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 杨凯;叶恺东 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种薄膜磁性体存储器，对应MTJ存储单元的各列设置位线(BL)。另一方面，对应MTJ存储单元的各行设置作为读出选择线用的字线(WL)与作为写入选择线用的写入数位线(WDL)。并且独立设置字线译码器(20r)与数据线译码器(20w)，前者根据读出端口(2)上输入的读出地址(ADDr)有选择地激活字线(WL)，后者根据写入端口(3)上输入的写入地址(ADDw)有选择地激活写入数位线(WDL)。 | ||
| 搜索关键词： | 并行 处理 数据 读出 写入 薄膜 磁性 存储器 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜磁性体存储器，其中包括：含有保持磁性写入的存储数据的多个磁性体存储单元的存储单元阵列；接受表示所述存储单元阵列中的写入对象单元的写入地址和给所述写入对象单元的写入数据的第一端口；接受表示所述存储单元阵列中的读出对象单元的读出地址，同时输出来自所述读出对象单元的读出数据的第二端口；以及分别基于所述读出地址与所述写入地址，对所述存储单元阵列并行地进行数据读出与数据写入的外围电路。
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