[发明专利]连接端子及其制造方法以及半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 03122279.X | 申请日： | 2003-04-25 |
| 公开（公告）号： | CN1453863A | 公开（公告）日： | 2003-11-05 |
| 发明（设计）人： | 小野敦;浅津琢郎;山口真司 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L23/52;H01L21/288;H01L21/60 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及连接端子及其制造方法以及半导体装置及其制造方法。在电极垫片(2)上形成第1保护膜(3)和第2保护膜(4)，并在共同除去了它们相互被层叠的第1保护膜(3)和第2保护膜(4)的部分形成凸起(5)。此处，作为位置在下层的第1保护膜(3)除去部分的开口部分(3a)形成比作为位置在上层的第2保护膜(4)的除去部分的开口部分(4a)大，上层的第2保护膜(4)变成突出的构造，凸起(5)的底部在其外围部分被形成以便进入第2保护膜(4)的下面。 | ||
| 搜索关键词： | 连接 端子 及其 制造 方法 以及 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1.一种连接端子，它由形成在表面呈层状的多个保护膜(3，4)的电极垫片(2)、和在该电极垫片(2)上的保护膜(3，4)的开口部分(3a，4a)突起电极(5)组成，其特征在于，下层保护膜(3)的开口部分(3a)形成比上层保护膜(4)的开口部分(4a)大，上述突出电极(5)的底部进入到上层保护膜(4)的下面。
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