[发明专利]半导体存储元件及其操作方法以及半导体内存数组有效
| 申请号： | 03122282.X | 申请日： | 2003-04-24 |
| 公开（公告）号： | CN1474455A | 公开（公告）日： | 2004-02-11 |
| 发明（设计）人： | 黄俊仁;周铭宏;陈幸谦 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/10 | 分类号： | H01L27/10;H01L23/52;G11C11/34 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 王学强 |
| 地址： | 台湾省新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种半导体存储元件，此半导体存储元件是由一个或多个位线、一个或多个字符线以及一拟真字符线所构成，其中拟真字符线是耦接一正偏压。记忆胞及拟真胞是与一位线耦接，且是分别与一字符线及一拟真字符线耦接。至少在抹除操作期间，将拟真字符线耦接至一正偏压，以防止拟真胞在拟真字符线接地时被过度抹除。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 元件 及其 操作方法 以及 内存 数组 | ||
【主权项】：
1.一种半导体存储组件，包括：一记忆胞；一拟真字符线，其是与该记忆胞耦接；一逻辑控制电路，是用以在进行抹除时提供一正偏压给该拟真字符线；以及至少一位线，其是与该记忆胞耦接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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