[发明专利]低温多晶硅薄膜晶体管及其制造方法有效
| 申请号： | 03122318.4 | 申请日： | 2003-04-25 |
| 公开（公告）号： | CN1540729A | 公开（公告）日： | 2004-10-27 |
| 发明（设计）人： | 彭佳添;孙铭玮 | 申请（专利权）人： | 友达光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/786 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 王学强 |
| 地址： | 台湾省新竹科学*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种低温多晶硅薄膜晶体管及其制造方法，此低温多晶硅薄膜晶体管包括一个信道区，其制造方法的特征在于对信道区进行电浆处理工艺，以调整低温多晶硅薄膜晶体管的激活电压。由于进行电浆处理即可调整低温多晶硅薄膜晶体管的激活电压，所以可增加工艺弹性。 | ||
| 搜索关键词： | 低温 多晶 薄膜晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种低温多晶硅薄膜晶体管的制造方法，适于形成低温多晶硅薄膜晶体管，上述低温多晶硅薄膜晶体管包括一个信道区，其特征在于对上述信道区进行一个电浆处理工艺，以调整上述低温多晶硅薄膜晶体管的激活电压。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
