[发明专利]氧化介电薄膜的气相生长方法无效
| 申请号： | 03122435.0 | 申请日： | 2003-04-24 |
| 公开（公告）号： | CN1453832A | 公开（公告）日： | 2003-11-05 |
| 发明（设计）人： | 长谷卓 | 申请（专利权）人： | 恩益禧电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/31 | 分类号： | H01L21/31;C23C16/40 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 王维玉,丁业平 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 氧化介电薄膜的气相生长方法，用于在基质上形成具有表示为ABO3钙钛矿型晶体结构的氧化介电薄膜，包括第一步，在第一基质温度下，顺序交替地提供A－位层元素材料和B－位层元素材料以在基质上形成早期的层或早期的核，及第二步，将温度提高到比第一基质温度更高的第二基质温度，以使在第一步骤中形成的早期的层或早期的核结晶，同时提供A－位层元素材料和B－位层元素材料以形成ABO3薄膜。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化 薄膜 相生 方法 | ||
【主权项】：
1.氧化介电薄膜的气相生长方法，用于在基质上形成具有表示为ABO3钙钛矿型晶体结构的氧化介电薄膜，包括：第一步，在第一基质温度下，顺序交替地提供A-位层元素材料和B-位层元素材料以在所述基质上进行原子层沉积以形成早期的层或早期的核，及第二步，将温度提高到比所述的第一基质温度更高的第二基质温度，以使在所述的第一步骤中形成的早期的层或早期的核结晶，同时提供A-位层元素材料和B-位层元素材料以形成ABO3薄膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
