[发明专利]制造用于纳米压印光刻的亚光刻尺寸线和间隔图案的方法

摘要

本发明披露了一种亚光刻尺寸线和间隔图案的制造方法。本方法包括对传统微电子处理技术的应用，如光刻图案化和蚀刻、多晶硅沉积、多晶硅氧化、多晶硅氧化蚀刻、多晶硅湿蚀刻和等离子体蚀刻，以及化学机械平面化。特征尺寸大于或等于光刻极限的多晶硅线特征在包括氧气的等离子体中被氧化。氧化形成了一个亚光刻尺寸多晶硅核和一个氧化多晶硅罩层，氧化硅多晶罩层包括同样具有亚光刻特征尺寸的沿着亚光刻尺寸多晶硅核的侧壁表面的一部分。当平面化和对多晶硅或氧化多晶硅进行选择性蚀刻后，就形成了若干亚光刻尺寸线和间隔图案。这些线和间隔图案可应用于纳米压印光刻的压印模。

主权项

1.一种亚光刻尺寸线和间隔图案的制造方法，包括：在基层(13)的表面(6)上沉积第一多晶硅层(17)；在第一多晶硅层(17)的表面(12)上沉积光致抗蚀剂层(15)；对光致抗蚀剂层(15)进行图案化并且之后进行蚀刻，以在其中形成线和间隔图案(23，24)；通过对第一多晶硅层(17)进行蚀刻以形成多个多晶硅线特征(21)和间隔特征(20)，将线和间隔图案(23，24)转移至第一多晶硅层(17)，多晶硅线特征(21)和间隔特征(20)具有一最小特征尺寸，其大于或等于图案化所使用的光刻系统的光刻极限λ；将光致抗蚀剂层(23)从多晶硅线特征(21)除去；将多晶硅线特征(21)在包括氧气的等离子体中氧化，氧化过程继续直到多晶硅线特征(21)的尺寸减小至亚光刻特征尺寸并且多晶硅线特征(21)的氧化罩层(22)扩展(e)，从而使间隔特征(20)减小至亚光刻特征尺寸；沉积一个完全覆盖多晶硅线特征(21)的氧化罩层(22)并完全填充间隔特征(20)的第二多晶硅层(25)；将第二多晶硅层(25)平面化以形成一间隔平面层和亚光刻尺寸多晶硅(21，25)以及氧化多晶硅线特征(22)；以及对平面层进行蚀刻以选择性地除去多晶硅线特征(21，25)或氧化多晶硅线特征(22)之一。