[发明专利]磁存储器的导体结构

摘要

本发明公开一种磁存储器的导体结构。所述导体结构包括一个或几个导体，它们的宽度小于导体与存储单元交叉方向上存储单元的尺寸。导体的厚度被预选成可减小导体的截面积因而增加导体中的电流密度。由于电流密度的增加，流经导体中的减小的电流就能产生足以旋转存储单元数据层中可变磁化取向的磁场。或者，可以通过增加导体的厚度以增加其面积以减小其电阻、并将导体部分地包覆以减小导体周围的总磁路从而增强磁场，这样也能减小电流量。

主权项

1.一种磁存储器的导体结构，所述磁存储器包括：对磁场敏感的存储单元，所述单元包括宽度、长度；以及用于以可变磁化取向的形式存储数据位的数据层，所述导体结构包括：在宽度方向横过所述存储单元的第一导体，所述第一导体响应流经其中的第一电流而产生第一磁场，所述第一导体包括：限定第一截面积的第一宽度和第一厚度；顶面；位于所述存储单元宽度范围内的两个侧面；以及与所述存储单元相邻的底面，在长度方向横过所述存储单元的第二导体，所述第二导体响应流经其中的第二电流而产生第二磁场，所述第二导体包括：限定第二截面积的第二宽度和第二厚度；顶面；位于所述存储单元宽度范围内的两个侧面；以及与所述存储单元相邻的底面，其中，所述第二宽度大体上大于或等于所述存储单元的所述长度，所述第一和第二磁场合作作用于所述数据层，以便旋转所述可变磁化取向，其中，所述第一厚度和所述第一宽度被预选成减小所述第一截面积因而增加所述第一导体中的电流密度、使得减小后的第一电流量能产生与所述第二磁场合作足以旋转所述可变磁化取向的第一磁场强度。