[发明专利]减少埋层接触带外扩散的半导体结构、其制造方法以及半导体存储器装置的形成方法

摘要

一种减少埋层接触带外扩散的半导体结构，其包括：一晶体管，包括闸极以及位于上述闸极两侧的掺杂区；一埋层接触带，相接于上述两掺杂区之一；一沟槽，与该埋层接触带相邻；一沟槽式电容，形成于该沟槽的底部，包括埋入电极板、电容介电层以及电极板；一导线结构，位于该沟槽式电容上，该导线结构包括环状绝缘层以及被环状绝缘层包围的第一导电层；一侧壁导电层，形成于该沟槽的侧壁；一第二导电层，被该侧壁导电层包围；以及一浅沟隔离结构，位于该沟槽相对于该埋层接触带的另一侧；其中该埋层接触带与沟槽中的侧壁导电层相接，且该侧壁导电层的掺杂浓度低于该第二导电层。

主权项

1.一种减少埋层接触带外扩散的半导体结构，其特征在于：所述半导体结构包括：一晶体管，包括闸极以及位于上述闸极两侧的掺杂区；一埋层接触带，相接于上述两掺杂区之一；一沟槽，与该埋层接触带相邻；一沟槽式电容，形成于该沟槽的底部，包括埋入电极板、电容介电层以及电极板；一导线结构，位于该沟槽式电容上，该导线结构包括环状绝缘层以及被环状绝缘层包围的第一导电层；一侧壁导电层，形成于该沟槽的侧壁；一第二导电层，被该侧壁导电层包围；一浅沟隔离结构，位于该沟槽相对于该埋层接触带的另一侧；其中该埋层接触带与沟槽中的侧壁导电层相接，且该侧壁导电层的掺杂浓度低于该第二导电层。