[发明专利]在蚀刻处理后移除聚合物的方法无效
| 申请号： | 03122495.4 | 申请日： | 2003-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN1542545A | 公开（公告）日： | 2004-11-03 |
| 发明（设计）人： | 黄致远;陈政顺;杨令武;陈光钊 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/00 | 分类号： | G03F7/00;G03F7/26;H01L21/027 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 王学强 |
| 地址： | 台湾省新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种制造半导体器件的方法，包括先提供一晶片基底，然后，在该晶片基底上提供一绝缘体；再于该绝缘体上沉积第一硅层。之后，于该第一硅层上形成一电介质材料层，再于该电介质材料层上沉积第二硅层。接着，于该第二硅层上提供一光阻层，再图案化并定义该光阻层。然后，蚀刻未被光阻层掩盖的第二硅层、电介质材料层、第一硅层与绝缘体，移除该光阻层，再以去离子水与臭氧气体的混合物至少清洁所述被蚀刻过的第一硅层。 | ||
| 搜索关键词： | 蚀刻 处理 聚合物 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造半导体器件的方法，包括：提供一晶片基底；于该晶片基底上提供一绝缘体；于该绝缘体上沉积第一硅层；于该第一硅层上形成一电介质材料层；于该电介质材料层上沉积第二硅层；于该第二硅层上提供一光阻层；图案化与定义该光阻层；蚀刻未被该光阻层掩盖的该第二硅层、该电介质材料层、该第一硅层与该绝缘体；去除该光阻层；以及以去离子水与臭氧气体的混合物至少清洁该第一硅层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于旺宏电子股份有限公司，未经旺宏电子股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/03122495.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
