[发明专利]半导体存储器模块无效

专利信息
申请号: 03122502.0 申请日: 2003-04-16
公开(公告)号: CN1514492A 公开(公告)日: 2004-07-21
发明(设计)人: 辻野光纪 申请(专利权)人: 三菱电机株式会社
主分类号: H01L27/10 分类号: H01L27/10;H01L25/00;G11C11/34
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 刘宗杰;王忠忠
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 为了代替在模块基板2的表面的性能不合格的裸芯片1(芯片A)的BANK2和裸芯片1(芯片C)的BANK1、2的功能,在模块基板2的背面上安装虽然BANK0、1、3为不合格但BANK2的功能正常的修复芯片3(芯片AA)和虽然BANK0为不合格但BANK1、2、3的功能正常的修复芯片3(芯片CC)。由此,可得到能安装既有效地利用作为合格的其它的存储体的功能、又起到成为不合格的存储体的代替功能的芯片以进行修复的半导体存储器模块。
搜索关键词: 半导体 存储器 模块
【主权项】:
1.一种半导体存储器模块,具备模块基板和在该半导体存储器模块上安装的半导体芯片,其特征在于:上述半导体芯片包含:可存储数据的多个存储体;以及地址输入端子,被输入能指定使该多个存储体中的哪一个存储体存储数据的存储体指定信号,在上述半导体芯片的内部或外部设置了指定存储体激活/非激活选择电路,该电路在被输入上述存储体指定信号的同时,能选择是否使指定存储体成为非激活状态,在上述非激活状态下,在输入了该存储体指定信号时,不对该指定存储体输入在由该存储体指定信号指定的指定存储体中存储的预定的数据。
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