[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法无效
| 申请号： | 03122509.8 | 申请日： | 2003-04-16 |
| 公开（公告）号： | CN1452223A | 公开（公告）日： | 2003-10-29 |
| 发明（设计）人： | 伊藤貴之;饭沼俊彦;須黑恭一 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L21/324 | 分类号： | H01L21/324;H01L21/265;H01L21/24 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 付建军 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供一种能精确地控制杂质的分布的半导体装置及半导体装置的制造方法。该制造方法包括：将杂质元素的离子注入半导体区域(1)的工序；作为预定元素将IV族的元素或与杂质元素的导电类型相同、质量数比杂质元素大的元素的离子注入半导体区域的工序；以及将在600nm以下的区域中具有发光强度分布的最大点的光照射在注入了杂质元素及预定元素的区域(5、6)中，进行退火的工序。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于包括：将杂质元素的离子注入半导体区域的工序；作为预定元素将与IV族的元素或与上述杂质元素的导电类型相同、质量数比上述杂质元素大的元素的离子注入上述半导体区域的工序；以及将在600nm以下的区域中具有发光强度分布的最大点的光照射在注入了上述杂质元素及上述预定元素的区域中，进行退火的工序。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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