[发明专利]半导体装置及其制造方法无效
| 申请号： | 03122525.X | 申请日： | 2003-04-18 |
| 公开（公告）号： | CN1452251A | 公开（公告）日： | 2003-10-29 |
| 发明（设计）人： | 土井博之 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/788 | 分类号： | H01L29/788;H01L29/866 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体装置及其制造方法。在占有面积变小的情况下，能够容易获得预期的稳压，而且能够防止反向耐压随时间的变动。稳压元件是由通过由P型硅酮制成的半导体基片11中的元件隔离绝缘膜12区划成的活性区域10的上部形成的、N型杂质高浓度扩散制成的N型杂质扩散层13，和在该N型杂质扩散层13的下面由P型杂质扩散成的P型杂质扩散层14构成的。N型杂质扩散层13及P型杂质扩散层14是面对半导体基片11平行设置的两层。通过该N型杂质扩散层13和P型杂质扩散层14之间的PN结形成二极管结构。P型杂质扩散层14和元件隔离绝缘膜12相邻接部分的杂质浓度设定成低于在其余的部分的该杂质的浓度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.半导体装置，其特征在于，备有：通过元件隔离膜划分、形成的半导体区域，在上述半导体区域中形成的、具有其导电类型与该半导体区域的导电类型相反的第1杂质扩散层，和在上述半导体区域中、利用连接上述第1杂质扩散层的上面和下面的一同用端部与上述元件隔离膜保持连接而形成的、具有和上述半导体区域相同的导电类型的第2杂质扩散层；与上述第2杂质扩散层中的元件隔离膜的相邻接的部分的杂质浓度是被设定成低于在它的其余部分的该杂质的浓度。
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