[发明专利]通孔填充方法无效
| 申请号： | 03122606.X | 申请日： | 2003-01-15 |
| 公开（公告）号： | CN1444437A | 公开（公告）日： | 2003-09-24 |
| 发明（设计）人： | 土田秀树;日下大 | 申请（专利权）人： | 希普雷公司 |
| 主分类号： | H05K3/42 | 分类号： | H05K3/42 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 郭建新 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种通孔填充方法，其中在薄镀后，施加1－50毫秒的正向电解时间和0.2－5毫秒的反向电解时间为一个周期的PPR电流，直到表示正向电解电流密度与反向电解电流密度的比值的F/R比值为至少1/0.2并小于1/1为止。 | ||
| 搜索关键词： | 填充 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用金属填充通孔的方法，包括下列步骤：薄镀，然后施加正向电解时间为1-50毫秒和反向电解时间为0.2-5毫秒作为一个周期的PPR电流，使表示正向电解电流密度与反向电解电流密度的比值的F/R比值为1/0.2至1/1。
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