[发明专利]用于改进相移掩模成像性能的装置和系统及其方法无效
申请号: | 03122612.4 | 申请日: | 2003-03-05 |
公开(公告)号: | CN1453635A | 公开(公告)日: | 2003-11-05 |
发明(设计)人: | 哈里·O·西威尔 | 申请(专利权)人: | ASML荷兰有限公司 |
主分类号: | G03F1/16 | 分类号: | G03F1/16;G03F7/00;H01L21/027 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 王永刚 |
地址: | 荷兰费尔*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 在此公开了一种用于改进具有光瞳面并使用相移掩模的光刻系统中成像性能的方法。找出光瞳面上会聚从相移掩模发出的光的相位误差部分的部位。在光瞳面的找出部分放置一个孔径。一般地,从相移掩模发出的光的相位误差部分是光的零阶部分,通常被称作“零阶泄漏”。阻挡零阶泄漏缓解了对高于和低于标称焦平面的光致抗蚀剂曝光的光的强度变化。这从而也减小了形成在芯片上的线条宽度的变化。 | ||
搜索关键词: | 用于 改进 相移 成像 性能 装置 系统 及其 方法 | ||
【主权项】:
1.一种阻挡孔径,包括:一个对一种光波长半透明的物体;和将该物体基本上支撑在使用相移掩模的光刻系统的光瞳面上的所述光的零阶光部分的设施。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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