[发明专利]用于改进相移掩模成像性能的装置和系统及其方法无效

专利信息
申请号: 03122612.4 申请日: 2003-03-05
公开(公告)号: CN1453635A 公开(公告)日: 2003-11-05
发明(设计)人: 哈里·O·西威尔 申请(专利权)人: ASML荷兰有限公司
主分类号: G03F1/16 分类号: G03F1/16;G03F7/00;H01L21/027
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人: 王永刚
地址: 荷兰费尔*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 在此公开了一种用于改进具有光瞳面并使用相移掩模的光刻系统中成像性能的方法。找出光瞳面上会聚从相移掩模发出的光的相位误差部分的部位。在光瞳面的找出部分放置一个孔径。一般地,从相移掩模发出的光的相位误差部分是光的零阶部分,通常被称作“零阶泄漏”。阻挡零阶泄漏缓解了对高于和低于标称焦平面的光致抗蚀剂曝光的光的强度变化。这从而也减小了形成在芯片上的线条宽度的变化。
搜索关键词: 用于 改进 相移 成像 性能 装置 系统 及其 方法
【主权项】:
1.一种阻挡孔径,包括:一个对一种光波长半透明的物体;和将该物体基本上支撑在使用相移掩模的光刻系统的光瞳面上的所述光的零阶光部分的设施。
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