[发明专利]CVD用原料化合物以及钌或钌化合物薄膜的化学气相蒸镀方法无效
申请号: | 03122906.9 | 申请日: | 2003-04-18 |
公开(公告)号: | CN1451780A | 公开(公告)日: | 2003-10-29 |
发明(设计)人: | 齐藤昌幸;寒江威元 | 申请(专利权)人: | 田中贵金属工业株式会社 |
主分类号: | C23C16/18 | 分类号: | C23C16/18;H01L21/285;H01L21/8242;H01L27/108 |
代理公司: | 上海专利商标事务所 | 代理人: | 胡烨 |
地址: | 暂无信息 | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明涉及以有机钌化合物为主要成分的CVD用原料化合物。该有机钌化合物在钌上配位有2个β-二酮类,还配位有二烯类、二胺类或2个有机配位体。在本发明中,通过规定配位的β-二酮类的碳原子数和二烯类等的种类,使有机钌化合物的蒸气压较为理想。 | ||
搜索关键词: | cvd 原料 化合物 以及 薄膜 化学 气相蒸镀 方法 | ||
【主权项】:
1.CVD用原料化合物,所述化合物以有机钌化合物为主要成分,其特征在于,前述有机钌化合物如下式1所示,它是在钌上配位有2个β-二酮类和1个二烯类的有机钌化合物,式1结构式中,β-二酮类的取代基R1、R2是烷基,R1、R2中所含的碳原子数合计为3~5个,构成二烯类的有机基团R3、R4、R5可相互连结成环。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
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