[发明专利]CVD用原料化合物以及钌或钌化合物薄膜的化学气相蒸镀方法无效

专利信息
申请号: 03122906.9 申请日: 2003-04-18
公开(公告)号: CN1451780A 公开(公告)日: 2003-10-29
发明(设计)人: 齐藤昌幸;寒江威元 申请(专利权)人: 田中贵金属工业株式会社
主分类号: C23C16/18 分类号: C23C16/18;H01L21/285;H01L21/8242;H01L27/108
代理公司: 上海专利商标事务所 代理人: 胡烨
地址: 暂无信息 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明涉及以有机钌化合物为主要成分的CVD用原料化合物。该有机钌化合物在钌上配位有2个β-二酮类,还配位有二烯类、二胺类或2个有机配位体。在本发明中,通过规定配位的β-二酮类的碳原子数和二烯类等的种类,使有机钌化合物的蒸气压较为理想。
搜索关键词: cvd 原料 化合物 以及 薄膜 化学 气相蒸镀 方法
【主权项】:
1.CVD用原料化合物,所述化合物以有机钌化合物为主要成分,其特征在于,前述有机钌化合物如下式1所示,它是在钌上配位有2个β-二酮类和1个二烯类的有机钌化合物,式1结构式中,β-二酮类的取代基R1、R2是烷基,R1、R2中所含的碳原子数合计为3~5个,构成二烯类的有机基团R3、R4、R5可相互连结成环。
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