[发明专利]低温多晶硅薄膜的制造方法及低温多晶硅薄膜晶体管有效
| 申请号： | 03122982.4 | 申请日： | 2003-04-23 |
| 公开（公告）号： | CN1540719A | 公开（公告）日： | 2004-10-27 |
| 发明（设计）人： | 陈韵升 | 申请（专利权）人： | 友达光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20;H01L21/324;H01L21/311;H01L29/786 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 王学强 |
| 地址： | 台湾省新竹科学*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种低温多晶硅薄膜的制造方法，其方法首先在基板上形成一层非晶硅层，接着，对非晶硅层进行回火制程，使得非晶硅层转变成多晶硅层(多晶硅薄膜)，其中在回火的过程中，在多晶硅层的表面会形成数个突起物。接着，对多晶硅层进行表面处理步骤，然后再对多晶硅层进行另一次的回火制程。利用本发明的方法所形成的多晶硅层其表面的突起物的尺寸明显变小，所以可以解决现有技术中突起物过大且大小不一致的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 低温 多晶 薄膜 制造 方法 薄膜晶体管 | ||
【主权项】：
1.一种低温多晶硅薄膜的制造方法，其特征在于，该方法包括：在基板上形成非晶硅层；对该非晶硅层进行第一回火制程，以使该非晶硅层转变成多晶硅层，其中该多晶硅层的表面形成有复数个突起物，且该多晶硅层的表面形成有氧化层；对该多晶硅层进行表面处理步骤，以移除该氧化层；以及对该多晶硅层进行第二回火制程。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
