[发明专利]半导体装置及其制造方法无效
| 申请号： | 03123076.8 | 申请日： | 2003-04-30 |
| 公开（公告）号： | CN1455460A | 公开（公告）日： | 2003-11-12 |
| 发明（设计）人： | 吉持贤一 | 申请（专利权）人： | 罗姆股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/28;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 李香兰 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种半导体装置，在半导体衬底的表面部中具有形成为沟道区域从内壁面露出的沟。该半导体装置具有：形成在沟的内壁面上的栅绝缘膜；配置在该沟内、并隔着栅绝缘膜与沟的内壁面相对的栅电极。栅电极具有以金属元素为主体的低电阻层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，包含：在半导体衬底的表层部中，在形成为沟道区域从内壁面露出的沟的所述内壁面上形成的栅绝缘膜；在所述沟内，隔着所述栅绝缘膜与所述沟的内壁面相对地配置，并具有以金属元素为主体的低电阻层的栅电极。
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