[发明专利]包括氮化层的半导体器件无效
| 申请号： | 03123129.2 | 申请日： | 2003-04-17 |
| 公开（公告）号： | CN1476103A | 公开（公告）日： | 2004-02-18 |
| 发明（设计）人： | 井上真雄;寺本章伸;土本淳一 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 王岳;叶恺东 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种半导体器件，包括：n型半导体衬底(1)，其主表面上含有源极区(20)和漏极区(21)；高介电系数绝缘膜(2)，含有高介电系数材料而形成，覆盖夹在源极区(20)和漏极区(21)之间的区域的上部；掺硼栅极电极(6)，形成在高介电系数绝缘膜(2)的上部；以及高介电系数氮化层(4)，形成在高介电系数绝缘膜(2)和掺硼栅极电极(6)之间。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 氮化 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：半导体衬底，其主表面上含有源极区和漏极区；栅极绝缘膜，含有高介电系数材料，形成在上述半导体衬底的主表面上，覆盖夹在上述源极区和漏极区之间的区域的上部；栅极电极，形成在上述栅极绝缘膜的上部；以及氮化层，形成在上述栅极绝缘膜和上述栅极电极之间。
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