[发明专利]在数据层中具有控制成核位置的磁存储元件有效
| 申请号： | 03123133.0 | 申请日： | 2003-04-17 |
| 公开（公告）号： | CN1469384A | 公开（公告）日： | 2004-01-21 |
| 发明（设计）人： | J·H·尼克尔;M·巴塔查里亚 | 申请（专利权）人： | 惠普公司 |
| 主分类号： | G11C11/15 | 分类号： | G11C11/15;H01L43/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 吴立明;梁永 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 磁存储元件(50)的铁磁数据层(54)形成有控制的成核位置(58)。磁随机存取存储(“MRAM”)器件包括这种磁存储元件(50)的阵列(12)。 | ||
| 搜索关键词： | 数据 具有 控制 成核 位置 存储 元件 | ||
【主权项】：
1.一种制备数据存储器件(10)的方法(114～116)，方法包括形成铁磁数据层(54)的阵列(12)，每层(54)具有第一和第二相邻区(58，60)，第一区(58)具有的转换阈值低于第二区(60)的转换阈值，第一区(58)基本上小于第二区(60)，第一区(58)位于阵列上的数据层上的相同位置。
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